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納芯微高壓半橋驅(qū)動(dòng)NSD2622N：為E-mode GaN量身打造高可靠性、高集成度方案

納芯微發(fā)布專為增強(qiáng)型GaN設(shè)計(jì)的高壓半橋驅(qū)動(dòng)芯片NSD2622N，該芯片集成正負(fù)壓穩(wěn)壓電路，支持自舉供電，具備高dv/dt抗擾能力和強(qiáng)驅(qū)動(dòng)能力，可以顯著簡(jiǎn)化GaN驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)，提升系統(tǒng)可靠性并降低系統(tǒng)成本。應(yīng)用背景近年來(lái)，氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)憑借高開(kāi)關(guān)頻率、低開(kāi)關(guān)損耗的顯著優(yōu)勢(shì)，能夠大幅提升電源系統(tǒng)的功率密度，明顯優(yōu)化能效表現(xiàn)，降低整體系統(tǒng)成本，在人工智能(AI)數(shù)據(jù)中心電源、微型逆變器、車載充電機(jī)(OBC)等高壓大功率領(lǐng)域得到日益廣泛的應(yīng)用。然而，GaN器件在實(shí)際應(yīng)用中仍面臨諸多
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GaN，助力6G

新的基于 GaN 的架構(gòu)將使海量數(shù)據(jù)的通信和傳輸變得更加容易。
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Finwave籌集820萬(wàn)美元短期投資以推動(dòng)市場(chǎng)發(fā)展

美國(guó)馬薩諸塞州沃爾瑟姆的 Finwave Semiconductor Inc 宣布了一輪新的 $8.2m 短期投資，由 Fine Structure Ventures、Engine Ventures 和 Safar Partners 領(lǐng)投，技術(shù)合作伙伴 GlobalFoundries 戰(zhàn)略參與。Finwave 認(rèn)為，新一輪融資表明投資者和行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者對(duì)其獨(dú)特的硅基氮化鎵技術(shù)的市場(chǎng)潛力充滿信心，因?yàn)樗趶囊约夹g(shù)為中心的創(chuàng)新者轉(zhuǎn)變?yōu)楫a(chǎn)品驅(qū)動(dòng)型公司。這家科技公司由麻省理工學(xué)院（MIT）的研究人員于 2012
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革新電力電子：氮化鎵雙向開(kāi)關(guān)

傳統(tǒng)方法的局限性多年來(lái)，工程師們一直致力于解決單向開(kāi)關(guān)的基本限制。當(dāng)需要雙向電壓阻斷時(shí)，設(shè)計(jì)人員必須使用多個(gè)分立元件實(shí)現(xiàn)背靠背配置，導(dǎo)致系統(tǒng)復(fù)雜性增加、尺寸增大和成本上升。這些配置還會(huì)引入額外的寄生元件，從而影響開(kāi)關(guān)性能和效率。此外，傳統(tǒng)的三端 UDS 設(shè)備無(wú)法獨(dú)立控制雙向電流流，限制了它們?cè)诟呒?jí)電源轉(zhuǎn)換拓?fù)渲械膽?yīng)用。圖片由 Adobe Stock 提供隨著行業(yè)向更高功率密度、更高效率和更低系統(tǒng)成本發(fā)展，這些挑戰(zhàn)變得越來(lái)越重要。傳統(tǒng)的使用背靠背分立開(kāi)關(guān)的方法，在
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GaN可靠性里程碑突破硅天花板

半導(dǎo)體行業(yè)正處于性能、效率和可靠性必須同步發(fā)展的階段。AI 基礎(chǔ)設(shè)施、電動(dòng)汽車、電源轉(zhuǎn)換和通信系統(tǒng)的需求正在將材料推向極限。氮化鎵（GaN）越來(lái)越受到關(guān)注，因?yàn)樗梢詽M足這些需求。該行業(yè)已經(jīng)到了這樣一個(gè)地步，人們的話題不再是 GaN 是否可行，而是如何可靠、大規(guī)模地部署它。二十多年來(lái)，我專注于外延生長(zhǎng)，見(jiàn)證了 GaN 從一種利基研究驅(qū)動(dòng)型材料轉(zhuǎn)變?yōu)殡娏﹄娮宇I(lǐng)域的領(lǐng)先競(jìng)爭(zhēng)者。進(jìn)展是穩(wěn)定的，不是一蹴而就的?，F(xiàn)在傾向于 GaN 的公司和工程師是為下一代系統(tǒng)定位自己的公司。設(shè)備性能從外延開(kāi)始對(duì)于 G
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通過(guò)集成驅(qū)動(dòng)器和高級(jí)保護(hù)功能簡(jiǎn)化GaN電源設(shè)計(jì)

高效率和高功率密度是為當(dāng)今產(chǎn)品設(shè)計(jì)電源時(shí)的關(guān)鍵特性。為了實(shí)現(xiàn)這些目標(biāo)，開(kāi)發(fā)人員正在轉(zhuǎn)向氮化鎵（GaN），這是一種可實(shí)現(xiàn)高開(kāi)關(guān)頻率的寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)。與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的功率半導(dǎo)體技術(shù)相比，GaN 最大限度地減少了所需無(wú)源元件的尺寸，同時(shí)降低了柵極驅(qū)動(dòng)和反向恢復(fù)損耗。此外，半導(dǎo)體制造商正在將其 GaN 器件封裝在高度集成的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝中，從而縮小印刷電路板（PCB）的占地面積要求，同時(shí)簡(jiǎn)化供應(yīng)鏈。GaN 應(yīng)用在 650 V AC-DC 轉(zhuǎn)換領(lǐng)域，變壓器外形無(wú)鉛（TOLL）封裝是電源設(shè)計(jì)的有效選擇。采用此封
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GaN FET在人形機(jī)器人中的應(yīng)用

引言人形機(jī)器人集成了許多子系統(tǒng)，包括伺服控制系統(tǒng)、電池管理系統(tǒng) (BMS)、傳感器系統(tǒng)、AI 系統(tǒng)控制等。如果要將這些系統(tǒng)集成到等同人類的體積內(nèi)，同時(shí)保持此復(fù)雜系統(tǒng)平穩(wěn)運(yùn)行，會(huì)很難滿足尺寸和散熱要求。人形機(jī)器人內(nèi)空間受限最大的子系統(tǒng)是伺服控制系統(tǒng)。為了實(shí)現(xiàn)與人類相似的運(yùn)動(dòng)范圍，通常在整個(gè)機(jī)器人中部署大約 40 個(gè)伺服電機(jī) (PMSM) 和控制系統(tǒng)。電機(jī)分布在機(jī)器人身體的不同部位，例如頸部、軀干、手臂、腿、腳趾等。該數(shù)字不包括手部的電機(jī)。為了模擬人手的自由操作，單只手即可能集成十多個(gè)微型電機(jī)。這些電機(jī)的電源
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【對(duì)話前沿專家】香港科技大學(xué)黃文海教授談氧化鎵器件的突破與展望

_____在超寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域，氧化鎵器件憑借其獨(dú)特性能成為研究熱點(diǎn)。我們有幸與香港科技大學(xué)電子及計(jì)算機(jī)工程教授黃文海教授，圍繞氧化鎵器件的研究現(xiàn)狀、應(yīng)用前景及測(cè)試測(cè)量挑戰(zhàn)展開(kāi)深入交流。香港科技大學(xué)在氧化鎵研究領(lǐng)域取得了顯著的成果，涵蓋了材料生長(zhǎng)、器件設(shè)計(jì)、性能優(yōu)化和應(yīng)用開(kāi)發(fā)等多個(gè)方面。通過(guò)與國(guó)際科研機(jī)構(gòu)和企業(yè)的合作，港科大團(tuán)隊(duì)不僅推動(dòng)了氧化鎵技術(shù)的發(fā)展，也為相關(guān)領(lǐng)域的應(yīng)用提供了重要的技術(shù)支持。黃文海教授的團(tuán)隊(duì)主要致力于氧化鎵器件全鏈條的研究。在材料生長(zhǎng)方面，聚焦優(yōu)化晶體生長(zhǎng)工藝，通過(guò)改進(jìn)熔體生長(zhǎng)技術(shù)，成
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英飛凌推出全球首款集成肖特基二極管的工業(yè)用GaN晶體管產(chǎn)品系列

英飛凌科技股份公司近日推出CoolGaN? G5中壓晶體管，它是全球首款集成肖特基二極管的工業(yè)用氮化鎵（GaN）功率晶體管。該產(chǎn)品系列通過(guò)減少不必要的死區(qū)損耗提高功率系統(tǒng)的性能，進(jìn)一步提升整體系統(tǒng)效率。此外，該集成解決方案還簡(jiǎn)化了功率級(jí)設(shè)計(jì)，降低了用料成本。集成肖特基二極管的CoolGaN? G5晶體管在硬開(kāi)關(guān)應(yīng)用中，由于GaN器件的有效體二極管電壓（VSD?）較大，基于GaN的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)可能產(chǎn)生較高的功率損耗。如果控制器的死區(qū)時(shí)間較長(zhǎng)，那么這種情況就會(huì)更加嚴(yán)重，導(dǎo)致效率低于目標(biāo)值。目前功率器件設(shè)
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德州儀器推出新款電源管理芯片，可提高現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心的保護(hù)級(jí)別、功率密度和效率水平

新聞亮點(diǎn)：新款發(fā)布的具有電源路徑保護(hù)功能的 48V 集成式熱插拔電子保險(xiǎn)絲簡(jiǎn)化了數(shù)據(jù)中心設(shè)計(jì)，助力設(shè)計(jì)人員達(dá)到 6kW 以上的功率水平。新型集成式氮化鎵 (GaN) 功率級(jí)采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的晶體管外形無(wú)引線 (TOLL) 封裝，將德州儀器的 GaN 和高性能柵極驅(qū)動(dòng)器與先進(jìn)的保護(hù)功能相結(jié)合。中國(guó)上海（2025 年4 月 9 日）— 德州儀器 (TI)（納斯達(dá)克股票代碼：TXN）于今日推出新款電源管理芯片，以滿足現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心快速增長(zhǎng)的電源需求。隨著高性能計(jì)算和人工智能 (AI) 的采用率越來(lái)越高，數(shù)據(jù)中心需要更
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Nexperia擴(kuò)展GaN FET產(chǎn)品組合，現(xiàn)可支持更多低壓和高壓應(yīng)用中的功率需求

Nexperia近日宣布其E-mode GaN FET產(chǎn)品組合新增12款新器件。本次產(chǎn)品發(fā)布旨在滿足市場(chǎng)對(duì)更高效、更緊湊系統(tǒng)日益增長(zhǎng)的需求。這些新型低壓和高壓E-mode GaN FET適用于多個(gè)市場(chǎng)，包括消費(fèi)電子、工業(yè)、服務(wù)器/計(jì)算以及電信，尤其著重于支持高壓、中低功率以及低壓、中高功率的使用場(chǎng)景。自2023年推出E-mode GaN FET以來(lái)，Nexperia一直是業(yè)內(nèi)少有、同時(shí)提供級(jí)聯(lián)型或D-mode和E-mode器件的供應(yīng)商，為設(shè)計(jì)人員在應(yīng)對(duì)設(shè)計(jì)過(guò)程中的不同挑戰(zhàn)提供了更多便捷性。Nexperia
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EiceDRIVER? 650V+/-4A高壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器1ED21x7系列

英飛凌的新一代EiceDRIVER? 1ED21x7x 650V、+/-4A柵極驅(qū)動(dòng)器IC與其他產(chǎn)品相比，提供了一種更穩(wěn)健、更具性價(jià)比的解決方案。1ED21x7x是高電壓、大電流和高速柵極驅(qū)動(dòng)器，可用于Si/SiC功率MOSFET和IGBT開(kāi)關(guān)，設(shè)計(jì)采用英飛凌的絕緣體上硅（SOI）技術(shù)。1ED21x7x具有出色的堅(jiān)固性和抗噪能力，能夠在負(fù)瞬態(tài)電壓高達(dá)-100V時(shí)保持工作邏輯穩(wěn)定?？捎糜诟邏簜?cè)或低壓側(cè)功率管驅(qū)動(dòng)。1ED21x7x系列非常適合驅(qū)動(dòng)多個(gè)開(kāi)關(guān)并聯(lián)應(yīng)用，例如輕型電動(dòng)汽車?；?ED21x7x
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芯向未來(lái)，2025英飛凌消費(fèi)、計(jì)算與通訊創(chuàng)新大會(huì)成功舉辦

3月14日，?“2025?英飛凌消費(fèi)、計(jì)算與通訊創(chuàng)新大會(huì)”（ICIC 2025，以下同）在深圳舉行。本屆大會(huì)匯聚600多位業(yè)界精英，就AI、機(jī)器人、邊緣計(jì)算、氮化鎵應(yīng)用等話題展開(kāi)了精彩探討，首次在國(guó)內(nèi)展示了英飛凌兩款突破性技術(shù)——300mm氮化鎵功率半導(dǎo)體晶圓和20μm超薄硅功率晶圓，彰顯了英飛凌在技術(shù)創(chuàng)新領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，并解讀最新產(chǎn)品與解決方案，為行業(yè)注入新動(dòng)能，助力企業(yè)在低碳數(shù)字變革的浪潮中把握先機(jī)。2025英飛凌消費(fèi)、計(jì)算與通訊創(chuàng)新大會(huì)（ICIC 2025）在深圳舉行2024年，
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GaN HEMT為開(kāi)關(guān)應(yīng)用帶來(lái)低噪聲功率

氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）是場(chǎng)效應(yīng)晶體管的一種形式，它在微波頻率下工作時(shí)結(jié)合了高水平的性能和低噪聲系數(shù)。不過(guò)，HEMT 與其他類型的 FET 器件有些不同，它的性能優(yōu)于標(biāo)準(zhǔn)結(jié)或 MOSFET。這些獨(dú)特的器件在微波射頻（RF）應(yīng)用中表現(xiàn)出色。來(lái)自 n 型區(qū)域的電子穿過(guò)晶格，許多電子保持在異質(zhì)結(jié)附近（異質(zhì)結(jié)是指通過(guò)兩個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體的接觸耦合形成的界面區(qū)域）。這種只有一層厚的電子形成二維電子氣體。650V GaN HEMT 的開(kāi)關(guān)能量（Esw）是在硬開(kāi)關(guān)條
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CGD 官宣突破100KW以上技術(shù)，推動(dòng)GAN挺進(jìn)超100億美元的電動(dòng)汽車逆變器市場(chǎng)

無(wú)晶圓廠環(huán)保科技半導(dǎo)體公司 Cambridge GaN Devices（CGD）開(kāi)發(fā)了一系列高能效氮化鎵（GaN）功率器件，使更加環(huán)保的電子產(chǎn)品非常易于設(shè)計(jì)和運(yùn)行。CGD今日推出的 Combo ICeGaN? 解決方案使 CGD 利用其 ICeGaN? 氮化鎵（GaN）技術(shù)滿足100kW 以上的電動(dòng)汽車動(dòng)力系統(tǒng)應(yīng)用，該市場(chǎng)超過(guò)100億美元。Combo ICeGaN?將智能 ICeGaN HEMT IC 和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）組合在同一個(gè)模塊或集成功率管理器件（IPM）中，最大限度地提高了效率，為昂
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